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• Si（Cz法 : Φ=100 [mm]，２次元および３次元解析）
• Si（Cz法 : Φ=300 [mm]，３次元非定常解析，スカラ変数=[SiO]，[O]）
• SiGe(Cz法)
• CsI（Continuous Cz feed法）
  
  

  Fig.1  Cz法でのシリコン単結晶成長の２次元軸対象モデルと３次元モデルの解析例
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• GaAs（LEC法 : ３次元非定常解析），ガス圧=10[atm]、cell数=266,000
• GaAs（VCz法 : ３次元解析），15万セル
• GaAs（VCz法 : encapsulantの「透過，非透過」の比較，Φ=4[inch]，２次元および３次元解析）
  
  

  Fig.2  VCz法でのシリコン単結晶成長の２次元軸対象モデルと３次元モデルの解析例
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• InP（HPLEC法 : High Pressure Liquid-Encapsulated Czochralski：4[inch]，３次元非定常解析），p=20，30，40[atm]，Grashof数=1010程度，ガス:Nitrogen，Argon，The Chien turbulence model
• シンチレーター(Cz法)
• YAG(Yttrium Aluminium Garnet，Cz法)
• BGO(Bi4Ge3O12，Bi12Ge3O4，LTG Cz法(Low-Thermal-Gradient Czochralski)， Boussineq近似=On，Marangoni効果=Off，屈折率(n)=2.15，吸収係数(κ)=３band（λ<4，4<λ<6，6<λ[μm] ），6 [μm]以上はopaque)
• サファイア（Kyropoulos法）
• サファイア(EFG法)
  
  

  Fig.3  EFG法でのサファイア単結晶成長の２次元モデルと３次元モデルの解析例
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• GaAs(VGF法 : Φ=6[inch]，２次元非定常解析)，(垂直ブリッジマン法)
  
  

  垂直ブリッジマン法での GaAs結晶成長の例
  Fig.4  Crucible Moves Down	Fig.5  Heaters Move Up

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• 多結晶Siのインゴット（Casting法，太陽電池用：300x300[mm]，２次元および３次元非定常解析）
  
  

  Crystallization speed is from 15 to 25 mm/min.
  Fig.6  輻射、熱伝導、ガス・融液対流を考慮した Casting法でのシリコン結晶成長の計算例

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• Si(Fz法) ３次元非定常解析，Si（Φ=200[mm]）融液の形状は固定，Grashoff 数＝3.7x108. Marangoni効果を考慮。FVMセル数=約27万
  
  

  Fig.7  Fz法でのシリコン単結晶成長の３次元モデルの解析例
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• 擬定常解析手法を用いたSi Cz法　偏析解析
  

  Fig.8  （左）融液内の不純物濃度分布　（右）結晶・融液界面下（垂直断面）の不純物濃度分布 ＊Open software 「ParaView」にて可視化

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  Fig.9  融液内の不純物濃度分布　時間変動
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  Fig.10  融液自由表面上の不純物濃度分布　時間変動
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• Sapphire(Al2O3) VGF法　: 二次元　非定常解析
  
  

  Fig.11  温度分布、及び結晶形状変化
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• フッ化カルシウム(CaF2) VGF法　: 二次元　非定常解析, 偏析解析考慮
  
  

  Fig.12  結晶形状変化、及び結晶内不純物濃度
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• シリコンカーバイト(SiC) フラックス法　: 二次元定常解析
  
  

  Fig.13  （左）フラックス法　SiC結晶成長過程　（右）溶液内の炭素濃度分布
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• 窒化ガリウム(GaN) フラックス法　: 二次元定常解析
  
  

  Fig.14  （左）フラックス法　GaN結晶成長過程　（右）溶液内の窒素濃度分布
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• Sapphire(Al2O3) CZ法　: 三次元　非定常解析
  
  

  Fig.15   温度分布、及び融液内流速ベクトル
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• ニオブ酸リチウム　(LiNbO3) CZ法　: 二次元　定常解析
  
  

  Fig.16   温度分布、及び融液内対流パターン
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