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株式会社シムサイド

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• 2011年11月 : CGSim Ver.11.2 新機能等のご紹介
• 2011年10月 : CGSim Ver.11.1 新機能等のご紹介
• 2011年6月 : CGSim Ver.9.4.19 新機能等のご紹介
• 2011年4月 : CGSim Ver.9.4.15 新機能等のご紹介
• 2010年10月 : CGSim Ver.9.04 新機能等のご紹介
• 2010年1月 : CGSim Ver.9.03 新機能等のご紹介
• 2009年2月 : CGSim Ver.9.02 新機能等のご紹介

シリコン、�V-�X族化合物、半透過素材結晶成長の各種バルク結晶法に対応しています。

各種チョクラルスキー法

• Cz法（Czochralski Method）..(Si,Ge,Sapphire,CaF2,YAG,GGG,BGO等)
• MCz法(Magnetic Field Applied Czochralski Method)..(Si)
• LEC法(Liquid Encapsulant Czochralski Method)..(InP)
• VCz法（Vapor Pressure Controlled Czochralski Method）..(GaAs,Ge,SiGe)

Fz法（Floating Zone Method）..(Si)

Bridgman法

• 垂直ブリッジマン法(Vertical Bridgman Method)..(GaAs）
• VGF法(Vertical Gradient Freeze Method)..(GaAs,Sapphire)

太陽電池用シリコン結晶成長の Casting 法(Direct Solidification System : DSS)..(多結晶Si)
キロポーラス法(Kyropoulos Method)..(Sapphire)
EFG 法（Edge Feed Gradient Method）..(Sapphire)
溶液成長法（Solution growth）..(SiC、GaN)

解析目的に応じて、Basic , Flow , Defect , Cz Dynamics module を使用します。

Basic module

ヒーター、ペデスタル、坩堝、融液、結晶等を含めた装置全体の温度分布を求めるために、Global Heat Transfer の解析を行います。
ここで求めた温度分布、熱フラックスを Flow Module 及び Defects Module の熱境界条件に用います。結晶引上げの相対位置に応じた各形状に付いて、以下の解析を行います。

• 坩堝など、各装置の位置の決定
標準形状を基準にして、ユーザが指定した結晶寸法（即ち、引上げ寸法）を用いて坩堝やホルダの位置関係を決定し、格子分割に備えます。 融液の位置は、引き上げ寸法(CP ： Crystal-Position)に適応して、体積保存の関係式を用いて、内部で計算します。
• メニスカスの決定
（接触角、表面張力を用いて内部で決定します。 LEC 法は封止液 Encapsulant の自由液面及び、融液との界面の両方を決定します。）
• 輻射、熱伝導解析
　　　
• 半透過素材などの内部輻射を考慮可能
• 熱源として、抵抗加熱及び誘導加熱を考慮可能
• 対流計算を考慮可能(乱流解析を含む)
　　　
• 不純物輸送を考慮可能(例：Cz Si 酸素輸送解析)
　　　
• 不純物の偏析を考慮可能 (例:DS Si 不純物偏析解析）
• 界面移動量の決定（熱フラックスの平衡条件から決定します）
• 熱境界の温度、熱フラックスをファイル保存（次段の各モジュールの境界条件として、ファイルで引渡します）
• 格子分割について

Basic module の統合 GUI 中のサブ・ツールを用います。

• 外形は2次元 CAD ソフトウェアの .dxf ファイルからインポート可能
• 非構造格子、構造格子の混在
• 自動格子作成
• 領域接合面で分割数が不一致の構造・非構造格子（mismatched block interface）
• 回転体の３次元格子は、中心軸で扇形の特異性が発生しない様に、自動的にO-Gridを生成

Flow module

Basic module で解析した温度分布、熱フラックスを既知の境界条件として、着目領域の詳細解析を行います。
構造格子による熱流動計算を行い、下記の解析を行います。

• 移流・拡散（融液、封止液、ガス）、熱伝導、乱流（RANS，LESを選択します。空間４次スキームを用いて DNS 解析を行う事も可能です。）
• 界面移動量の決定
• 磁場の考慮（水平磁場、垂直磁場、カスプ磁場）
• 輻射（DOM法）
• 鏡面反射、又は乱反射
• 結晶内部への光の吸収

Defects Module

• 熱応力解析
Basic module による解析結果の温度分布を用いて、軸対称２次元の熱応力の計算を行います。主応力，最大剪断応力、von Misesの応力（歪成分は、現版では出力出来ません)

• 等方性材料
• 点欠陥解析
チョクラルスキー法によるシリコン結晶成長を対象とした解析機能です。格子空孔・格子間（侵入型）原子の数密度（vacancy and interstitial distributions : Cv，Ci）の発展方程式を解き、評価に必要なパラメータを算出します。V/G（成長速度 vs 温度勾配比 : Voronkovパラメータ），Cv，Ci，（Cv-Ci） : 数密度

Cz Dynamics module

• チョクラルスキー法での非定常引上げ解析が可能
：ユーザーは、非定常計算条件としてヒーターパワー、または基準点の温度履歴を設定
• 引き上げ中の成長速度、及び結晶界面形状の予測が可能
• 非定常引き上げ計算の結果（温度、界面形状、成長速度等）を基に非定常点欠陥解析が可能

CGSim View

以下のような解析結果表示を行います。

• コンタ図(ノード表示、セル中心表示)、ベクトル図，X-Y プロット、動画表示
• 温度勾配（座標系成分）、温度勾配（RMS : スカラ値）、熱フラックス・ベクトル
• 電位ポテンシャル(MCz 法)
• 坩堝、ヒーター、結晶、融液などの部材区分したカラー表示

GUI（格子分割，結果表示 : View module）はWindowsに限定です。
ソルバー部（Flow　module）は Windows，３次元解析用並列版 Flow module は Linux 限定で稼動します。

動作環境

• Intel Pentium III，128 MB RAM，MB Video card，1024x768 resolution Microsoft Windows 2000 Professional，Windows XP Professional 以上
• Linux : Intel および AMD 32/64 processors, SUSE Linux 9.2(32bits), SUSE v.10(64bits) and SUSE v.10(32bits) 対応

推奨環境

• Intel Core-Duo processor，2048 MB RAM，128 MB Video card，1280x1024 resolution

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開発元STR、関連機関、ユーザーから発表された論文のリストです。
論文リストのページへ

Semiconductor Technology Research(STR)社
本社 : ロシア(STR Group Ltd.,)
事業所 : ドイツ（STR GmbH,），アメリカ(STR, Inc.)

カタログ(pdf)を ダウンロード 頂けます。