SiLENSeは，発光ダイオードの各種特性をモデル化したソフトウェアーです。 バンドダイアグラム，構造内の電子やホールの輸送，発光スペクトルなどの計算ができます。 今バージョンでは，物性データや例題をさらに充実し，また，逆バイアスでの各種計算機能などを追加しました。

変更点と新機能

• InAlGaAs 混晶の物性データベースと，AlGaAs レーザーダイオードの計算例を追加しました。[fig.1]

  
  fig.1 AlGaAsレーザーダイオードの例題

• CdMgZnO混晶の物性データベースと，ハイブリッドII-O/III-Nヘテロ構造の計算例が追加されました。[fig.2]

  
  fig.2 ハイブリッドII-O/III-Nヘテロ構造の例題（波動関数の計算結果）

• 逆バイアスにおける，バンドダイアグラム，キャリアのエネルギー準位と波動関数の計算が可能になりました。 （逆電流の計算はできません。）[fig.3]

  
  fig.3 逆バイアスでの電子及びホールの波動関数

• 活性層として指定した層での発光のみを考慮した，内部量子効率を計算することができます。 同じく活性層への，電流注入効率を計算することができます。[fig.4 ，fig.5]

  
  fig.4 計算結果表示で追加された値

  
  fig.5 従来と同じIQEと、今回追加されたIQEQW及びInj.Effとの模式図

逆バイアスでの計算について

逆バイアスでは，電子とホールの擬フェルミ準位を均一と仮定して，バンドダイアグラムを計算します。 次に量子井戸内での電子とホールの波動関数とエネルギー準位を計算します。 電子とホールのエネルギー差から，PLスペクトルのピーク位置を推測することができます。