VR-PVT SiC は成長装置中の総括熱伝達、 又チャンバー及び原料粉末中の化学種の輸送をシミュレートする事により、 SiC 昇華成長における結晶形状、及び原料粉末属性の時間遷移を予測します．

Part　１：　熱伝達モデル

SiC 結晶成長装置の総括熱伝達モデルです．

- 誘導加熱によるジュール熱は Maxwell 方程式を解くことにより計算されます．

-　固体材料及び気体領域の熱伝導．成長装置部材の熱伝導度は異方性を加味し、温度依存の関数として定義されます．

-　SiC 原料粉末中の熱輸送．粉末属性(局所的空隙率と粒径)から有効熱伝導度を計算します．

-　気体領域の対流及び輻射熱伝達．輻射熱の計算には形態係数が使われます．固体領域は輻射に対し不透明として扱われます．

・結晶中の熱応力分布、及び塑性変形による完全応力緩和を仮定した結晶中のすべり転位密度が計算されます．

・計算結果の可視化を行います．本ソフトウエアには物性データベース、 ユーザマニュアル、ヘルプ機能、サンプルファイルが含まれます．

種結晶、原料粉末間空間の物質輸送、 即ちキャリアガスの存在下における反応性化学種（Si, Si2C, SiC2）の多成分拡散、対流流れをモデリングします．

完全密閉、半密閉チャンバ中の全蒸気圧を計算します．

気相物質輸送には以下の境界条件が適用されます．

- 種結晶、成長結晶、及び坩堝壁上の表面反応．気相、固体表面間の物質輸送には擬熱平衡モデルが使われます．

- 成長チャンバからの物質漏洩を考慮した多孔質坩堝壁上の表面反応．

- 成長チャンバからの物質漏洩を考慮した坩堝材接触隙間．

- 流入、及び流出

成長中の結晶の時間遷移は定常状態近似により計算されます．

坩堝壁上のポリ SiC 寄生吸着、成長、及び本成長に及ぼす影響を予測します．

SiC 原料粉末の物質輸送モデルでは SiC 粒子表面上の不均一反応、 及び粒子の黒鉛化を考慮した物質輸送方程式が解かれます．初期パウダー属性(局所空隙率、粒径、黒鉛度)は領域ごとに設定可能です．

計算結果の可視化を行います．本ソフトウエアには物性データベース、ユーザマニュアル、ヘルプ機能、サンプルファイルが含まれます．

Fig-4 流線及び、原料粉末空隙率(左)、黒鉛度(右)

Part　３：　Basic VR-PVT-SiC コード追加モジュール

成長結晶ファセッティング解析モジュール

物質輸送モデルに結晶ファセッティングを考慮できます．

転位ダイナミクス解析モジュール

＜1210＞、＜0001＞貫通転位進展解析がベーシックモジュールにオプションとして追加できます． 熱、物質輸送モデルから得られた成長時間ステップに対応する結晶形状の時系列データが転位ダイナミクス解析に使われます． 任意の結晶垂直断面において種結晶から発生した転位の時間発展が計算され、 又任意の水平結晶断面上の転位密度マップが出力されます．